La mémoire flash appartient à la classe de mémoire dite " non-volatile ", cest à
dire quelle est capable de retenir des données sans
alimentation électrique.
La dénomination " flash " vient des opérations
deffacement et de programmation de la mémoire qui sont très
rapides (env. 10 µ/sec/byte) et qui peuvent être effectuées en
laissant le composant électronique sur son circuit .
La technologie Flash se situe entre lEPROM et lEEPROM.
EEPROM ou E2PROM : Prom effaçable électriquement adresse par adresse ( 10 à 20 mn ) .
La technologie des mémoires " flash " est apparue vers le milieu des années 80. Elle équipe actuellement 90% des ordinateurs et des téléphones cellulaires et environ 50% des modems. Ses multiples fonctionnalités et son coût de fabrication relativement bas a fait progresser le marché de la flash-ROM . En effet, lhistoire nous montre que le prix de la mémoire (DRAM, SRAM, ROM etc.) était chère en raison de la quantité de silicone utilisé pour stocker un bit de donnée. La taille dune cellule de mémoire flash à été réduite par 18 au cours de la dernière décennie.
La facilité de mise à jour rend la mémoire flash clairement plus flexible que la ROM.Elle est mise à jour directement sur le composant électronique et peut être programmée avant, pendant ou après la fabrication du composant ce qui la rend une alternative plus intéressante, mois chère et plus facile à utiliser que lEPROM pour les fabricants de composants électroniques. Dautre part, les grands fabricants estiment que lon peut effacer et reprogrammer une mémoire flash 10'000 à 100'000 fois sans que ses capacités en soit altérées et que le prix dune mémoire flash de 32Mbyte est moins chère quun disque dur de même capacité.
Où est utilisée la flash-ROM
Les données sont entrées dans la mémoire flash sous forme de bit, de byte, de mot, ou de page par une opération de programmation. Une fois les données entrées, elle resteront en mémoire indépendamment de la présence dalimentation électrique. Les données sont effacées par une opération deffacement. Cette opération demande une extrême précision par rapport au voltage appliqué à la cellule de mémoire.
Lélément de stockage de la flash-ROM (une cellule de mémoire) est un transistor avec une " porte " isolée en polysilicone capable de stocker des charges (électrons). La quantité de charge stockées modifie le comportement de la cellule de mémoire du transistor. Ce changement de comportement est traduit en données stockées.
La présence de charge est interprétée comme un 0 (zéro) et labsence de charge comme un 1 (un).
La cellule mémoire du transistor est de très petite taille, ainsi une petite surface de silicone est utilisée pour le stockage dun bit de donnée, doù un coût de production bas. Larrivée de technologies pouvant stocker plusieurs bits par cellule réduira encore les coûts. Par comparaison, la SRAM demande 6 transistor pour un bit de donnée et l'EEPROM deux transistors.
Avantages :
Comportement d'une RAM non Volatile
La vitesse de la DRAM
La densité de la ROM
Une faible consommation dénergie
inconvénients :
Coût plus élevé
Dernière mise à jour le 21/09/2002 .
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