Les EEPROM sont aussi des PROM effaçables, mais contrairement aux EPROM, celles-ci peuvent être effacées par un simple courant électrique, c'est-à-dire qu'elle peuvent être effacées même lorsqu'elles sont en position dans l'ordinateur.
UVPROM : Prom reprogrammable après régénération sous ultra violets (10 à 20 mn). constituée de transistors MOS dont la grille est isolée , elle a besoin d' une haute tension de programmation environ 25 volts .Seul inconvénient l' effacement de toute la capacité de la mémoire par UV .
OTP ( One Time PROM ) : Programmable une seule fois , technologie MOS .
EPROM : elles possèdent les avantages de la PROM avec un plus, qui est l'effacement des données par l'utilisateur électriquement mais de toute la capacité de la mémoire .
EEPROM ou E2PROM : Prom effaçable électriquement adresse par adresse ( 10 à 20 mn ) .
EPROM FLASH : Prom effaçable électriquement de toute la capacité de la mémoire ( plus rapide à effacer que les EEPROM ).La tension de programmation de 12 Volts et un prix plus faible que les EEPROM en font un produit très répandu de nos jours .
Le transistor SAMOS (Staked gate avalanche injection MOS transistor).
Dans les EEPROM la faible l'épaisseur de l'oxyde entre la grille flottante G1 et le silicium (quelques dizaines de nanomètres) rend facile l'élimination par voie électrique des électrons piégés dans la grille flottante.L'oxyde est de 15 nm environ au niveau du drain, et les électrons peuvent alors voyager dans les deux sens par effet tunnel à travers la couche d'oxyde sous l'effet d’un champ électrique issu d'une tension de (>24 volts) durant 10mS.
Pour bloquer un transistor, la source et le
drain sont mis à la masse, et une impulsion de tension positive
est appliquée entre la seconde grille et la masse, des électrons
issus du drain traversent la mince couche d'oxyde et viennent se piéger dans
la grille flottante.
De même que pour les EPROM, I'accroissement de tension de
seuil qui en résulte pour la deuxième grille interdit au MOS de
devenir conducteur au cours d'une lecture ultérieure.
Pour supprimer ce blocage du transistor la seconde grille G2 et
la source sont mises à la masse, et l'impulsion de tension est
appliquée entre drain et masse; les électrons précédemment piégés
dans la grille flottante transitent en sens inverse à travers l'oxyde
mince et la tension de seuil redevient normale.
Cette charge se maintient une dizaine d'années en condition normale.
Cette mémoire est programmable et effaçable électriquement sans être enlevée de son support.
L'effacement et l'écriture sont électriques mais très lents (quelques millisecondes par
octet).
Elles peuvent servir de RAM non volatile si les changements ne
sont pas fréquents.
Avantages :
Comportement d'une RAM non Volatile
inconvénients :
Coût plus élevé
Très lente
Dernière mise à jour le 08/11/2000 .
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