Les EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) ou UVPROM

1.1.Descriptions

Les EPROM sont des PROM pouvant être effacées. Ces puces possèdent une petite fenêtre de quartz permettant de laisser passer des rayons ultra-violets provenant d' un " effaçeur d' Eprom " ou Brûleur d'Eprom ou Prommer. Lorsque la puce est en présence de rayons ultra-violets d'une certaine longueur d'onde, les liaisons sont reconstitués, c'est-à-dire que tous les bits de la mémoire sont à nouveau à 1. C'est pour cette raison que l'on qualifie ce type de PROM d'effaçable.Un inconvénient c' est l' effacement de toute la capacité de la mémoire par UV .

1.2.Symboles

 1.3.Unités ; Formules

Les broches de controle sur une EPROM sont :

CE (CHIP ENABLE) , Un "0" sur cette broche met en service cette EPROM. Un "1" logique sur cette broche met les 8 sorties en Haute impédance.(Utilé si le CPU veut accéder à autre chose que la ROM).

OE ou RD (READ) ,un "0" sur cette broche entraîne la lecture du contenu de l'Eprom sur 8 fils à condition que le CE soit au "0" logique bien sûr. Dans certain type d'Eprom cette broche peut recevoir la tension de programmation en mode de programmation uniquement. Un "1" logique sur cette broche met les 8 sorties en Haute impédance.

Vpp tension pour programmer l'EPROM. "5v","12v","12,5v","12,75v","13v","21v","23v" ou "25v" à 5% de tolérance, suivant le type d'EPROM et le fabriquant.

PGM/WR :Permet d'ecrire dans l'EPROM (Utilisé lors de la programmation ).

Et Voici comment lire un octet sur une EPROM

Pour accéder a un octet il faut faire ceci :

- Mettez le numero de l'octet a lire sur A0 à A19 ->lignes d'adressage ou bus d'adresse.
- Ensuite activez la ROM en mode lecture en mettant CE à 0 (pour activer la puce ) et RD à 0 (pour mettre la puce en mode lecture ).
- Attendez quelques nano secondes (de 70ns a 1000ns suivant l'Eprom)...
- Et récuperez l'octet de D0 à D7 -> 8 lignes de données ou bus de données 8 bits.(On lit 8 cases en 1 coup.)..
- Remettez CE et RD à 1....

Principe de lecture :

1.4.Valeurs

Les plus courantes sont les 27Cxxx

1.5.Variantes

EEPROM ou E2PROM : Prom effaçable électriquement adresse par adresse ( 10 à 20 mn ) .

EPROM FLASH : Prom effaçable électriquement de toute la capacité de la mémoire ( plus rapide à effacer que les EEPROM ).La tension de programmation de 12 Volts et un prix plus faible que les EEPROM en font un produit très répandu de nos jours .

 

1.6. Utilisations

Programmateur d'EPROM

 

Emulateur d'EPROM ( EconoROM II )

Afin de mettre fin au cycle 'remove-erase-program and re-install EPROMs' c'est à dire enlever l'Eprom, l'effacer par UV, le programmer et enfin l'installer dans son socket, la seule alternative réside dans l'utilisation de l'émulateur d'EPROM.

Caractéristique

Effaceur d'EPROM

Attention tout exposition aux UV est dangereux pour les yeux et la peau.

Tubes à ultra-violet (longueur d'onde: 253,7 nm).marque PHILIPS ou SYLVANIA
...Version 4 W - Longueur: 136 mm            90 FTTC / 13,72 €
...Version 6 W - Longueur: 212 mm      110 FTTC / 16,76 €

Douille pour tubes 4, 6 et 8 W              16 FTTC /    2,43 €
Ballast pour tubes 4 à 22 W                  76 FTTC / 11,58 €
Starter pour tubes 4 à 22 W                 8 FTTC /    1,21 €
Support pour starter                             8 FTTC /    1,21 €

La durée d'exposition Minimum est de 20 MIN sous UV.

2.1.Composition

Le transistor FAMOS (Floating gate Avalanche injection Metal Oxyde Silicium : introduit par Intel en 1971) a permis de résoudre le problème de vieillissement prématuré de la mémoire .

Le transistor FAMOS

Une forte tension électrique (>24 volts) est appliquée entre le drain et la source.
Par effet tunnel, des électrons traversent l'isolant (dioxyde de silicium) séparant la zone P+ de la grille flottante G.
Ils se trouvent alors piégés dans cette grille.
Celle-ci est donc portée à un potentiel négatif, entraînant la formation d'un canal d'inversion entre les deux zones P+, rendant passant le transistor.
Cette charge se maintient une dizaine d'années en condition normale.

Lors d'une irradiation d'une dizaine de minutes par des rayons ultraviolets, le transistor redevient bloqué.
C'est pourquoi le dessus du boîtier comporte une fenêtre de quartz qui laisse passer la lumière U.V..
Une fois effacée, on remplit cette mémoire grâce à un programmateur.
On peut les effacer et les reprogrammer un certain nombre de fois.
C'est une mémoire idéale pour le développement de prototypes, phase dans laquelle les modifications du programme sont fréquentes.

Avantages :

Reprogrammable et non Volatile

inconvénients :

Coût moyen

Trés lente à programmer

Effacement de la totalité des données

la retirer du système pour l’exposer au UV

Ecriture Impossible

2.2.Formules +

 

3.1.Exercices

 

4.1.Programmes

5.1.Liens

 

    

Dernière mise à jour le 08/11/2000 .  

Suite vers EEPROM