Les TEC transistors à effet de champ ou FET ( Field Effect Transistor ) ou JFET dans lesquels le passage du courant à travers un canal continu reliant la source au drain est en fait contrôlé par le champ créé par une troisième électrode, la grille située sur le canal.
Comme dans le cas des transistors bipolaires les JFET utilisent des porteurs n et p , il existe des NJFET et des PJFET .Mais comme les PJFET ne sont pas utilisés , il ne sont presque plus fabriqués .Le transistor FET est basé sur un principe physique différent du transistor à jonction ; ici ,le courant est véhiculé par des porteurs d' une seule polarité , c' est un dispositif unipolaire , par opposition au transistor à jonction qui est dit bipolaire puisqu'il met en jeu des porteurs n et p .
Dans les explications qui suivent nous prendront le cas des NJFET .
La figure ci dessus donne le fonctionnement du JFET canal n .Une couche n est déposée sur un substrat p fortement dopé .Ensuite on forme une jonction de grille p sur le dessus du cristal .Un contact est pris de part et d' autre de la grille , ce sont les sorties source et drain .On relie la grille et le substrat à la masse.
Si une faible tension positive Vds est appliquée entre le drain et la source , un courant va circuler à travers la zone n .On sait qu 'une jonction polarisée en inverse présente une zone désertée dont l' épaisseur est fonction de la tension inverse .Lorsqu 'on augmente Vds , le courant diminue car l' épaisseur de la zone désertée augmente et la résistance du canal augmente .Si on augmente encore Vds , les deux zones désertées se rejoignent , le canal est saturé .La chute de tension est Vdsat et le courant est Idsat .
Lorsque la grille est polarisée en inverse , c' est à dire négative pour un canal n , les zones désertées se rapproche encore plus vite la saturation se produit pour Id plus faible .
On obtient les courbes Id / Vds :
Le JFET est comparable à un tube de télévision , la source produit des électrons qui aboutissent au drain .Ils sont controlés par la tension de la grille .
Le NJFET ne peut fonctionner qu' en appauvrissement avec une grille négative .Si elle devenait positive ,les jonctions p - n passantes créeraient un courant important qui détruirait le JFET .
Caractéristiques principales
Tension de commande Vgs = -1 à - 7,5 V
Vds : 25 à 30 V
Id max 200 à 300 mA
Résistance d' entrée trés élevée ( jonction en inverse )
Pente Id / Vgs
Coefficient de température : légèrement négatif
Gamme de fréquence : modèles silicium jusqu' à 100 MHz , 20GHz
en Arséniure de gallium
Amplification à faible niveau à haute impédance , commutation analogique ....
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